s8 独家首发！国行版Galaxy S8/S8+详细评测

­三星旗舰近年都是双版本策略（Galaxy S6/Note5那一代除外），版本间的性能、拍照都会有一定出入。在很多媒体连Galaxy S8都还没拿到的情况下，我们爱搞机已经测过双版本的Galaxy S8/S8+了。

­Exynos版的内容可以戳《全网最细最全！三星Galaxy S8/S8+体验评测》、《Exynos 8895版三星Galaxy S8/S8+评测视频》。我们这次带来的是骁龙835版的S8/S8+详细评测，按照往年经验，Exynos版的赢面会更大一些，今年又会如何呢？

­PS：因为国行可能要到5月份才上市，测试时的固件还算是比较早期的版本，最终版的表现可能会有一定的出入。

­参数

­外观与做工

­Galaxy S8/S8+正面最震撼的是超高屏占比的圆角曲屏，正面没有任何标识，机身整体轮廓和Galaxy S7非常相似（大机轮廓更像Note7）。

­双曲面对称设计，闪光灯、心率传感器位置挪到左边，右侧放下了指纹识别模块，其不可按压，但滑动可以下拉/折叠通知栏。正面很震撼，但背面就有点”偷懒挤牙膏”的嫌疑了。

­今年所有版本正面都是黑色，但只有黑色版的边框也是黑色的，轮一体性上，黑色版肯定会是最好的。而这个做在玻璃下的黑色镀膜，在不同的光线和角度下也有细微的颜色差异。但要吐槽的是，测试机的背盖玻璃貌似没有防指纹涂层，随手就是一个指纹，希望量产机会补上涂层。

­熟悉的机身布局：右侧电源，左侧音量按键改成连体设计，并新增Bixby按钮。底部是耳机、Type-C接口、麦克风和扬声器开孔，顶部是卡槽（比Exynos版多了高通4G的贴纸）。国行版都是双卡设计，与或卡槽，可以同时插入双nano-SIM卡或nano-SIM卡+mirco SD卡（需要双卡和内存卡拓展的用户，只能自己动手改造把sim卡贴在内存卡上了）。

­玻璃高于金属边框而且没有塑料垫圈过渡，贴合非常紧密，做工接缝无可挑剔。正反曲面弧度一致，上下玻璃边缘的2.5D弧度较前代要小一些。而金属边框有了亮面涂层，颜色和亮黑iPhone接近（蓝色版为蓝色边框，银色版的边框则为银色），具体防刮性能未知，肯定比亮黑版iPhone的防刮性能好，正常使用没发现划痕，但它沾染指纹和灰尘的能力对比iPhone并没有什么本质性差别。

­Galaxy S8/S8+外观对比

­Galaxy S8/S8+的边角弧度接近，导致屏幕更大的大机看起来更像是Note7的强化版。两部机器的三维控制都很好（6.2英寸屏幕的S8+宽度只比S7 edge大0.8mm），单独放置很难发现S8+是大机，测试的时候也经常得反应一下才能发现自己拿的的哪一部。

­5.8英寸屏幕的S8，真机非常小巧，大小和5.1英寸屏幕的华为P10接近，手感和单手操控性出色。而S8+宽度不是问题，但长度上和6寸屏机型接近s8，呆在稍微紧身一点的牛仔裤口袋里可能会顶口袋。

­屏幕

­Galaxy S8/S8+分别搭载5.8和6.2英寸曲面圆角18.5:9屏幕，2960×1440分辨率（系统默认模式以2220*1080的分辨率渲染，需要在设置或设备管理器中进行更改才能全分辨率渲染），两机的PPI分别达到570和529，支持HDR，通过了UHD联盟认证，符合4K HDR视频播放标准。

­所有版本的屏幕都一致，S8的屏幕手动亮度最高365尼特，全白屏强光下最高亮度在600尼特左右。基本模式比以前色温更冷一些，达到了7000K，deltaE（越小越好）平均2.7，最大只有5。整体数据还是比较优秀的，但曲屏里面，色准最好的还是S6 edge。作为对比iPhone 7是1.6，Note5是1.8，S6 edge+是2.6，S7 edge是2.9。

­极限亮度与偏红问题：自动模式下强光照射，再加上白色显示面积缩小的情况下，极限亮度可以接近900尼特，极限亮度成绩比Note7稍弱，但也不排除这是测试机的原因导致。另外值得注意的是，我们拿到的4台国行Galaxy S8/S8+，都有一定程度的屏幕发红倾向，上下角度稍微一大就会偏红。这是之前欧版G950F/G955F上都没有这样的现象，希望只是测试机的个体问题。

­系统

­桌面

­桌面负一屏Bixby

­强化版通知栏

­国行版默认全网通，而港版不出意外也可会支持电信卡

­国行版的系统和欧版G950F/G955F略有差别，多了部分很接地气的功能（当然，大部分在S7上已经有了）：设备管理器有自启控制、详细的流量控制、下拉栏亮度调节可以选择是否直接在第一次下拉的时候显示、通知栏快捷开关可以调整按钮疏密程度、电话有黄页、短信有类型标签分类、多任务界面有全屏拉伸快捷按钮等。

­特殊比例适配与大小机差异

­2K15默认会有黑边

­今年Galaxy S8/S8+采用18.5:9比例屏幕，严格遵循安卓设计规范的应用一般都可以自动适应。但安卓平台的应用，特别是国内应用良莠不齐。实际测试，UC/京东等资讯型应用，2K15/2K17/崩坏3/激流快艇/神庙逃亡等游戏，默认开启不会自动拉伸，会有黑边。

­拉伸前后对比

­游戏助手（虚拟按键栏会自动显示游戏助手和按键屏蔽等功能）

­成功拉伸：

­激流快艇3

­NBA 2K17

­崩坏3

­但国行系统中，在多任务界面有”全屏拉伸”按钮，可以对应用进行强行拉伸，这是国行三星的游戏助手里新增的一个功能。自动全屏之后效果相当自然，像UC、京东、激流快艇、崩坏3等，所有的20几个第三方应用都能全屏显示。

­UC和京东，自动拉伸前后

­拉伸前后画面叠加

­神庙逃亡也无法完美拉伸，但画面没有压扁，而是横向纵向都被拉伸，因此丢失了横向的边缘内容

­自动拉伸效果：大部分应用都能无损全屏显示，在王者荣耀等部分游戏和资讯类应用，更长的屏幕会有更大的视野，可以显示更多的内容。但NBA 2K17是直接拉伸画面，画面贴图会有压扁的现象，无法利用18.5:9画面多出来的视野；寺庙逃亡甚至出现了纵向和横向共同拉伸的情况（边缘画面丢失了），而且还保留了虚拟按键条……GPU GFLOPS这种冷门应用，在S8+上还出现了内容与通知栏重叠的问题（下图最右侧）。

­左侧两张为S8拉伸前后，右侧两张为S8+拉伸前后

­左侧两张为S8和S8+的黄页，右侧两张为S8和S8+上的浏览器

­大小机显示内容对比：在5.8英寸屏幕的S8上，其通知栏和虚拟按键条本身就更宽，对于本来就不是全屏显示的普通应用，拉不拉伸其实都不会有大的体验提升。

­而6.8英寸屏幕的S8+，其DPI更高（内容显示密度更大），同样的应用，其实际显示的每个元素都和S8差不多，同一个应用一般都能多显示一两行。S8+不但拉伸前后分别更大，而且其全屏拉伸后，显示内容的优势会更加明显。对于深度用户或者游戏玩家，S8+会有更大的视野，其会是更适合”作弊”的工具。

­性能

­我们爱搞机之前测的欧版G950F/G955F，用的是三星自家的Exynos8895（亚太版、韩版、台版都是这个处理器），而国行、港版、日版、美版则是高通骁龙835。

­性能分析：骁龙820上的Kryo是高通第一个全自主设计的64位CPU，这个独特的构架在浮点的IPC性能（每周期可处理的指令数，可以笼统理解性能=IPC*频率）很强，但整数IPC性能还不如ARM之前的A57构架（A72的前代），能效比也要低一点。但今年高通放弃了前代的完全自主构架，新的Kryo 280核心，采用的是修改版的4核A73+4核A53，除了名字，和原来的Kryo构架没有任何的传承关系。

­骁龙835的CPU在表现上也和Kirin 960上的A73非常接近，整数运算IPC性能对比820/821有明显的提升，但浮点性能对比前代有所下降（整数运算影响日常应用速度、浮点运算更多影响图形性能）。

­而GPU方面，Adreno 540和骁龙820上的Adreno530构架分别不大，做了小优化避免以前的瓶颈，并对ALU和寄存器进行了优化。通过改进depth rejection深度过滤器减轻了每个像素点的计算负载，以提升性能表现并降低能耗。再加上10nm制程，让其可以做到更高频率（从624MHz小幅增长到710MHz）。高通宣称在3D渲染上，其对比820的Adreno 530有25%的提升。但S8/S8+上的GPU频率只有670MHz，实际性能涨幅预计”只有”15-20%。

­对比对象：我们使用满频的骁龙835原型机（最高主频2.45G，GPU最高710MHz）、同代Exynos 8895的代表S8+（G955F测试机最高频可以达到2.5G）、骁龙821的代表一加3T、Kirin960的代表荣耀V9、以及前代Exynos 8890的代表S7 edge进行对比。详细对比可以戳我们爱搞机的跑分库查看。

­CPU运算性能测试

­性能和续航的天平上，三星的调教向来更偏向与续航，国行S7 edge更是性能几乎垫底的骁龙820机型。比较遗憾的是，在骁龙835上也很可能会重复这样的悲剧。

­因为最高主频”只有”2.35GHz，国行S8/S8+的CPU性能不但不如骁龙835原型机，单核性能甚至还打不赢前代的8890和骁龙821。多核性能虽然可以挽尊，但还是输给了自家的欧版S8+（8895）、Kirin960(荣耀V9)和骁龙835原型机，是这一代3大旗舰SoC里暂时最弱的一个。而8895在三星的调教上，依旧可以和835原型机、Kirin960互有胜负，成绩喜人。

­GPU图形性能测试

­骁龙835性能狂暴，虽然不如835原型机，但仅凭Galaxy S8/S8+上的”只有”670MHz的GPU，成绩已经抛离前代骁龙821和Kirin960等对手一截，更是把前代Exynos8890按在地上摩擦。

­这个史无前例的图形性能，放在游戏上，可以比前代跑在更低的频率下，而且GPU占用率更低，发热控制更好。在821玩起来还是摊手的NBA 2K15/2K17上，国行版Galaxy S8/S8+的GPU大部分时间维持在257MHz，连向来压榨GPU的激流快艇3极限频率也只有414MHz。这个反映到实际上，就是Galaxy S8/S8+在大型游戏里不但非常流畅，而且还只是温手级别，这对游戏的发热和续航都是个好消息。

­存储性能测试

­这里所有的S8/S8+都是64G，S7 edge为32G，一加3T和荣耀V9为128G。闪存测试中，一般容量越大，速度越快。但实际成绩中，Galaxy S8/S8+持续读写性能狂暴，即便容量只有64G，但都把荣耀V9和一加3T砍于马下。比较可惜的是，骁龙835版还是弱于Exynos 8895版。而随机读写性能，会直接影响应用开启速度，除了荣耀V9有逆天的表现外，双版本S8+的成绩都比国行S8要强，具体原因不明。

­核心调度&发热

­Galaxy S8/S8+上的骁龙835本来就是降频版，最高主频从2.45G降到了2.35G，再加上10nm制程的支持，这是极少数可以长时间”最高频”运行的SoC。

­拷机期间频率监控（左S8，右S8+）

­15分钟拷机输出记录（左S8，右S8+）

­Galaxy S8/S8+日常应用开启和运行基本都可以8核全开满频跑，在30分钟的NBA2K15/激流快艇3后，拷机也能长时间满频运行，只是每隔一段时间会有段时间的小幅降频，8核全开拷机15分钟都没有明显的性能下降，表现惊艳。这是多年来，少数可以货真价实用足理论性能的旗舰芯。

­此外，游戏期间的发热也不高，仅是温手的级别，只有在亮度最高再加烤机的时候可以达到烫手的级别。因为普通大型游戏和压榨GPU的游戏，对骁龙835来说压力已经不够了，导致我们平时的游戏发热测试中测得的温度偏低。室温26度，运行激流快艇25分钟后，S8+最高温只有36.6度；而运行NBA 2K15的S8最高温更是只有34.4度，表现惊艳。

­Galaxy S8/S8+拍照对比

­拍照方面，虽然Galaxy S8/S8+上的摄像头传感器从前代的IMX260/S5K2L1换成了IMX333/S5K2L2，正如发布会所说，这次的重点不是硬件，而是软件升级。摄像头参数还是1/2.55，1.4μm单位像素，双核对焦，F1.7光圈。

­这次拿到的4台国行Galaxy S8/S8+，用的都是索尼的IMX333传感器，而上次测试的欧版G950F/G955F则是S5K2L2，暂时未知会否像上一年一样出现处理器和传感器交叉混用的情况。

­国行版Galaxy S8/S8+相机界面比前代精简，左右滑动分别是模式切换和各种拍照装饰/滤镜/水印。不得不说，这个半屏显示和拍照装饰相当接地气。此外还加入了快门按钮左右滑动进行变焦、上下滑动切换前后置摄像头的设定。

­拍照体验：国行工程机的相机完成度要比国际版（8895）工程机要低，整体拍照体验比国际版和前代都要差一些。首先是其相机快捷启动和热启动速度，都比8890版S7 edge慢，而且弱光取景的噪点也要更加明显。虽然现阶段的国行工程机对焦依旧很快，成片率也非常高，但成片速度却反而比8890版S7 edge慢。这个差距在光线变差，触发多帧合成等夜景算法后会更加明显。

­场景1、2

­场景3、4

­画面中央放大

­场景6、7

­成片效果上，我们手上的国行版S8固件更新一些，两部机器实际成片在测光上略有差异，但整体分别不大。

­Galaxy S8/S8+、S7 edge、iPhone、华为P10拍照对比

­场景1

­场景1中央放大

­场景2

­场景3（主要看眩光控制）

­场景4

­场景5画面中央放大

­场景6

­场景6画面中央放大

­场景7

­场景7画面中央放大

­场景8画面中央放大

­场景9

­场景9画面中央放大

­场景10画面中央放大

­场景11

­场景11画面中央放大

­场景12画面中央放大

­极弱光场景13

­极弱光场景13画面中央放大

­和S7 edge、iPhone 7 Plus以及华为P10进行的对比中，国行版和国际版一样，在眩光控制、白平衡和降噪涂抹上都有比较明显的提升，灯光场景白平衡不会像前代偏红偏暖噪那么明显。

­而采用IMX333的国行版S8，其噪点涂抹不但比前代更干净，整体辨析力也和采用S5K2L2的国际版一样，都可以小胜S7 edge。进一步拉开了和iPhone 7 间的差距，而作为国产代表的P10，在拍照上有待改进的地方还比较多。

­续航与充电

­因为上一年Galaxy Note7 的事故，三星对电池突然变得非常谨慎，Galaxy S8/S8+的电池分别缩水到了3000和3500mAh，容量都比5.5英寸屏幕的S7 edge要小。把Galaxy S8/S8+的屏幕面积折算成16:9屏幕的情况下，分别对应5.57英寸和5.95英寸。虽然有10nm制程SoC的加持，但两部机器的屏幕面积都变得更大了，不禁让人担忧它们的续航。

­经过了30分钟大型游戏（NBA 2K15），各30分钟的wifi和4G上网和30分钟本地视频播放，共2个小时的高强度续航测试后，Galaxy S8/S8+剩余电量都是83%，大机多出来的电量刚好被屏幕增长吃掉了。这个成绩甚至不但在前代之上，甚至超过了4000mAh电池级别的对手，得再次感叹10nm大法好。要注意的是，这个只是2小时的测试，如果时间继续延长，差距还会进一步被拉大。

­上一年的骁龙820/821已经让安卓旗舰集体碾压iPhone 7 Plus了，而今年的骁龙835估计会让一大波旗舰在续航上越跑越远。

­虽然续航不必过于担心，但Galaxy S8/S8+还是维持了多年来的9V/1.67A充电头。之前的消息显示，Galaxy S8/S8+配的很可能就是Note7的TA200充电头。放在现在动辄24W以上的安卓旗舰面前，这充电功率确实有失机皇之名。

­实际功率上，我们分别使用原装的9V/1.67A（15W，S7 edge的）AFC快充头、最高功率25W的快充头（三星平板上的）以及18W输出的PD标准快充头（Pixel XL的）进行测试，测试电量都在10%以下。结果Galaxy S8/S8+的充电功率都维持在12W左右。其中一部用着3月的固件的S8，充电功率甚至还被限制在了10W左右。

­作为对比，S7 edge充电峰值功率是可以达到14-15W的，而Note7的峰值功率甚至可以达到20W。而Galaxy S8/S8+即便是一直维持12W充电而且电池只有3000mAhs8，机器的充电速度都不容乐观。三星这次的充电功率明显是过于保守了，希望后期固件和正式出货时，能放宽功率限制。

­总结

­作为2017年上半年的卫冕机皇，Galaxy S8/S8+的表现确实可圈可点：

­外观上，震撼的超高屏占比曲面圆角屏幕、顶级的做工、依旧保持的防尘防水，这些都无可挑剔;

­更狭长的屏幕有更好的单手操作性，没有带来太多误触和兼容性问题，部分游戏还能作为”作弊工具”；

­拍照虽然只是挤牙膏式地小幅提升，但对焦性能、弱光成像依旧难有敌手；

­骁龙835虽然GPU性能残暴，但CPU性能方面未能和Kirin960拉开差距，而且还小输给Exynos 8895；

­在电池缩水的情况下，续航方面居然能反超前代，10nm制程的红利巨大。

­今年Galaxy S8/S8+的境况，和上一年的S7 edge无比相似，甚至可以直接套用上一年的结语：和其他品牌的手机因为骁龙835的特性而获得加分不同，三星Galaxy S8/S8+反倒是因为骁龙835而被拉低了部分得分，这就是常年站在安卓之巅的厂商和其他厂商之间的差距。毫无疑问，它就是现役真正的安卓机皇，甚至”安卓”两个字都可以省略了。而它的对手，或许就剩下Exynos 8895版的自己了。

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